VS-FC420SA10

制造商: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR - DIODES DIVISION

分类: 半导体分立器件和附件 / 晶体管 / 普通晶体管 / 场效应晶体管 / 绝缘栅场效应晶体管

描述: 底座安装 N 通道 100 V 435A(Tc) 652W(Tc) SOT-227

物料参数

FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):435A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.15 毫欧 @ 200A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 750µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):375 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):17300 pF @ 25 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):652W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
供应商器件封装:SOT-227
封装/外壳:SOT-227-4,miniBLOC